NPN-Transistor, 0.5A, 200V - 2SC1962

NPN-Transistor, 0.5A, 250V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-32. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE340. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Vebo: 3V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 300V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-Transistor, 0.5A, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN