Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SC2910

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SC2910
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SC2910. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 70mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SC2910. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 180V/160V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400. Betriebstemperaturbereich min (°C): 70mA. Betriebstemperaturbereich max (°C): 140mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1208. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.

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NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-51 ( MP ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.7pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Video, Hi-def. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 0.2A. Hinweis: 9mm Höhe. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3467. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-51 ( MP ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.7pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Video, Hi-def. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 0.2A. Hinweis: 9mm Höhe. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3467. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 830mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BF420. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.8pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Ic(Impuls): 800mA. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2705. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1145. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: NPN. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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