NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SC5148

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SC5148. NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 09:25.