NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 10A - 2SD1279

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 10A - 2SD1279. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SD1279. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 600V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 14:25.