NPN-Transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V - 3DD209L

NPN-Transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V - 3DD209L. NPN-Transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D209L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(min): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Originalprodukt vom Hersteller Jilin Sino-microelectronics Co.. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 23:25.