Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25

NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25
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NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC807-25. NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5B. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 5B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 07:25.

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NPN-Transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80MHz. Funktion: NF-TR. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 5C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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