NPN-Transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V - BC847BPN

NPN-Transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V - BC847BPN. NPN-Transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-363. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: DUAL NPN & PNP. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13. Anzahl der Terminals: 6. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 13. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP & NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller NXP Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 07:25.