NPN-Transistor BCP55-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP 5516. Kosten): 25pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP52-16. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34