NPN-Transistor BD244CG, TO-220, 6A, -100V, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 3MHz. Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 20. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 6A. Leistung: 65W. MSL: -. Max Frequenz: 3MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C. Strom max 1: -6A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Transistortyp: PNP. Typ: Leistung. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24