NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-TI
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.28€ | 3.94€ |
| 5 - 9 | 3.12€ | 3.74€ |
| 10 - 24 | 2.95€ | 3.54€ |
| 25 - 49 | 2.79€ | 3.35€ |
| 50 - 99 | 2.72€ | 3.26€ |
| 100 - 249 | 2.66€ | 3.19€ |
| 250+ | 2.56€ | 3.07€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.28€ | 3.94€ |
| 5 - 9 | 3.12€ | 3.74€ |
| 10 - 24 | 2.95€ | 3.54€ |
| 25 - 49 | 2.79€ | 3.35€ |
| 50 - 99 | 2.72€ | 3.26€ |
| 100 - 249 | 2.66€ | 3.19€ |
| 250+ | 2.56€ | 3.07€ |
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-TI. NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD245C. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.
Gleichwertige Produkte :
TIP34C
NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Dat...
NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Wir empfehlen außerdem :
2SD712
NPN-Transistor, 4A, 100V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karto...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
TIP3055
NPN-Transistor, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (la...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MFR3-100R
Widerstand: 100 Ohms. Leistung: 3W. Widerstandstyp: Metallschicht. Temperaturstabilität: 300ppm/°C...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
PRM05W-0R47
Widerstandstyp: elektrische Drahtwicklung. Hinweis: PRM05W. Hinweis: 13x9x26mm. Serie: PRM05W...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
CEL10000UF35V-C
Gleichspannung: 35V. Kapazität: 10000uF. Durchmesser: 25mm. Lebensdauer: 2000 Stunden. Länge: 45mm...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
PRM05W-0R22
Widerstand: 0.22 Ohms. Leistung: 5W. Widerstandstyp: elektrische Drahtwicklung. Hinweis: PRM05W. Hin...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
PRM05W-0R33
Widerstand: 0.33 Ohms. Leistung: 5W. Widerstandstyp: elektrische Drahtwicklung. Durchbruchspannung: ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
RC4558P
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.