NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 8A - BD649

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 8A - BD649. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD649. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Bourns. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 07:25.