NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A - BD652-S

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A - BD652-S. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD652. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.