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NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126 - BD682

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NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126 - BD682. NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 40W. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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