NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A - BD809G

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A - BD809G. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD809G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 07:25.