NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V - BDT64C

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V - BDT64C. NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Darlington-Transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT65C. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.