NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V - BDV64BG

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V - BDV64BG. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDV64BG. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1000. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65B. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.