NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V - BU2520DF-PHI

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V - BU2520DF-PHI. NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 13. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Hinweis: Isolationsspannung 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 23:25.