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NPN-Transistor BU2525DX, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V
Menge
Stückpreis
1-4
2.88€
5-14
2.60€
15-29
2.41€
30-59
2.25€
60+
2.00€
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 27 |
NPN-Transistor BU2525DX, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P(H)IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: nein. CE-Diode: ja. Funktion: CTV-HA Hi-re. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Kosten): 145pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Tf(max): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller: Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31
BU2525DX
18 Parameter
Kollektorstrom
12A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P(H)IS
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
BE-Diode
nein
CE-Diode
ja
Funktion
CTV-HA Hi-re
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Kosten)
145pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.1V
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
45W
Tf(max)
0.35us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Originalprodukt vom Hersteller
Inchange Semiconductor