NPN-Transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V - BUB323ZG

NPN-Transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V - BUB323ZG. NPN-Transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Abfallzeit 625 ns. Maximaler hFE-Gewinn: 3400. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Spec info: 360-450V Clamping. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.