NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - DTC143TT

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - DTC143TT. NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 33. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *33, P33, t33, w33. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 14:25.