NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - FJN3302R

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - FJN3302R. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schaltkreise. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 300mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 15:25.