NPN-Transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v - KTA1663

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v - KTA1663. NPN-Transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer PNP-Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Korea Electronics Semi.. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.