NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KTB778

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KTB778. NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 280pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B778. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KTD998. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 22:25.