NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A - MJE13007G

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A - MJE13007G. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE13007G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 04:25.