NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15034G

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15034G. NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15035G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 04:25.