NPN-Transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126 - MJE350G

NPN-Transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126 - MJE350G. NPN-Transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -300V. Kollektorstrom: -0.5A. Gehäuse: TO-126. Herstellerkennzeichnung: MJE350G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 20W. Max Frequenz: 10MHz. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.