NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V - MJE5742

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V - MJE5742. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(min): 2us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 04:25.