NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V - MMBT2907ALT1G

NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V - MMBT2907ALT1G. NPN-Transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Spec info: SMD '2F'. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 00:25.