Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26€ | 0.31€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.30€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 249 | 0.12€ | 0.14€ |
250 - 499 | 0.11€ | 0.13€ |
500 - 8835 | 0.11€ | 0.13€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.26€ | 0.31€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.30€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 249 | 0.12€ | 0.14€ |
250 - 499 | 0.11€ | 0.13€ |
500 - 8835 | 0.11€ | 0.13€ |
NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 600mA - MMBT5551LT1G. NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 600mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.
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