NPN-Transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V - MMSS8050-H

NPN-Transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V - MMSS8050-H. NPN-Transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y1. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller M.c.c.. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.