NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V - TIP147T

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V - TIP147T. NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Ic(Impuls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Monolithisches Darlington. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142T. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 16:25.