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NPN-Transistor, 0.1A, 50V - UN2112

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NPN-Transistor, 0.1A, 50V - UN2112. NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 0.2W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6B. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller Matsushita. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 07:25.

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