ON Semiconductor TIG056BF-1E N-Kanal IGBT 430V 240A TO-220FP

Technische Produktbeschreibung (TIG056BF-1E):

Kollektor/Emitter-Spannung Vceo: 430V. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220F-3FS. Gehäuse: TO-220FP. Germaniumdiode: Suppressor. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sonstiges: Blitz, Stroboskopsteuerung. Spezifikationsinfo: High speed fall time--tf=270nS (typ). CE-Diode: nein. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Funktion: Niedrige Sättigungsspannung, Ultrahochgeschwindigkeits-Schaltung. Technologie: Enhancement type. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Sättigungsspannung VCE(sat): 3.6V. Ic(puls): 240A. C (in): 5500pF. Gate-Emitter-Spannung VGE: 33V. C (out): 100pF. Maximale Verlustleistung: 30W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Gate-Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate-Emitter-Spannung VGE(th) max.: 5V. Kollektorstrom: 240A.