Operationsverstärker

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: OP-IC, with Shutdown

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.9V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 0.715mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, extrem niedriger Eingangsstrom. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 0.13mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 0.13mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 0.68mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 0.68mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 0.24mA. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 0.21mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 0.21mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.158mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.158mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: VQFN16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Logarithmischer Verstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 15 MHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -5°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +75°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.25V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 60mV. Stromaufnahme [mA]: 1.8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 50mV. Stromaufnahme [mA]: 0.35mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 25mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 20 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 75V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 150mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Puffer. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.025mV. Stromaufnahme [mA]: 0.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Hinweis: Eingangsoffsetspannung 300uV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 60mV. Stromaufnahme [mA]: 0.64mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Gehäuse: DIP-8. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Spec info: Eingangsoffsetspannung 800 uV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 60mV. Stromaufnahme [mA]: 0.64mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage