Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 282 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 250V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 18mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +28V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 50 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 800V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 37 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 800V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 37 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 800V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker. Hinweis: LT1364CS8#PBF. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Quad-Low-Power-Betriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.06V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 0.16mA. Mindestversorgungsspannung (V): +0.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, niedriger Eingangsstrom. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.25MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.42V/µs. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.21mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.2V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Differenzausgang. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 70 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 85V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 20mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.375V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12.6V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: elektrischer Stromverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Stromverstärker, Komparator. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 0.45mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +60V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 215 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 70V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.35mV. Stromaufnahme [mA]: 350mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12.6V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.18 MHz. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +6V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, Doppelt. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.003mV. Stromaufnahme [mA]: 0.15mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +11V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP-IC. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C

Hinweis: OP-IC. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): SIP-8. Betriebstemperatur: -20...+75°C

Betriebstemperatur: -20...+75°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-143. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Schaltungstyp: Breitbandverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.1GHz. Stromaufnahme [mA]: 16mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C