Operationsverstärker

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.8mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Hinweis: Eingangsoffsetspannung 800 uV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 2. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 60mV. Stromaufnahme [mA]: 0.64mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 50 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 11V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 8.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 60 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.06mV. Stromaufnahme [mA]: 2.7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

Funktion: JFET-Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.23 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.08V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 0.048mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.07V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.07mV. Stromaufnahme [mA]: 0.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 200 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.07V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.07mV. Stromaufnahme [mA]: 0.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.07V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.07mV. Stromaufnahme [mA]: 0.18mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 35 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 30V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.6mV. Stromaufnahme [mA]: 3.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 40 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 50mV. Stromaufnahme [mA]: 8.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Gehäuse (JEDEC-Standard): Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: DIP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 65 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 11V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 6.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220/7. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 7. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 35 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 900V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 35mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, speziell. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 100 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1300V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 45 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 400V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 140 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1100V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 17.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 100 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 500V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 11mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 282 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 250V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 18mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +28V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 282 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 250V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 18mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +28V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 50 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 800V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 37 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 800V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 37 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 800V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.3mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hochgeschwindigkeits-Operationsverstärker. Hinweis: LT1364CS8#PBF. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.06V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 0.16mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +0.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V