Operationsverstärker

Technologie: CMOS. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8. Funktion: programmierbarer Operationsverstärker

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hi-bias.. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Technologie: CMOS. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: DIP-8. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Funktion: programmierbarer Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Gehäuse (JEDEC-Standard): Operationsverstärker. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Hinweis: Hi-bias.. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Technologie: CMOS. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-14. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Funktion: programmierbarer Operationsverstärker. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hi-bias.. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hi-bias.. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Technologie: LINCMOS. Gehäuse: SO-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.9mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.9mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 4V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.9mV. Stromaufnahme [mA]: 3.1mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.085 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.02mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.085 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 12mV. Stromaufnahme [mA]: 0.017mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Funktion: Operationsverstärker. RoHS: ja. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: hohe Eingangsimpedanz. Hinweis: extrem geringer Verbrauch

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.085 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.039mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 12mV. Stromaufnahme [mA]: 0.048mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 12mV. Stromaufnahme [mA]: 0.048mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja

Hinweis: Ultra Low-power. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Hinweis: hohe Eingangsimpedanz

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.084mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.04V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.084mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V

Betriebstemperatur: -40...+85°C. Hinweis: hohe Eingangsimpedanz. Hinweis: extrem geringer Verbrauch