Operationsverstärker

Anzahl der operativen Verstärker: 4. Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-14

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Low-Power, High-Gain Bandwidth 2.2MHz Typ. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C. VCC: 4...16V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8, -40+125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 4...16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.034mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TS271CN. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Udd 3..16V. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, speziell. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Technologie: CMOS. Funktion: programmierbarer Operationsverstärker. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Gehäuse: SO8. Anzahl der operativen Verstärker: 2. Bandbreite MHz: 1.7 MHz. Versorgungsspannung min: 3V. Versorgungsspannung max: 16V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: 0°C. Temperatur max: 70°C. Information: SO. Serie: TLC

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage

Gehäuse: DIP8. Anzahl der operativen Verstärker: 2. Bandbreite MHz: 1.7 MHz. Versorgungsspannung min: 3V. Versorgungsspannung max: 16V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: n/a. Temperatur max: 70°C. Serie: TLC

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C