Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

Operationsverstärker

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TLC2252IDG4

TLC2252IDG4

Technologie: LINCMOS. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker m...
TLC2252IDG4
Technologie: LINCMOS. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker mit extrem geringem Stromverbrauch. Gehäuse: SO-8
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Technologie: LINCMOS. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker mit extrem geringem Stromverbrauch. Gehäuse: SO-8
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TLC2262AIDG4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
TLC2262AIDG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.82 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC2262AIDG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.82 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2262AIDR

TLC2262AIDR

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
TLC2262AIDR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
TLC2262AIDR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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TLC2262AIP

TLC2262AIP

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
TLC2262AIP
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC2262AIP
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2262AIPWR

TLC2262AIPWR

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP8. ...
TLC2262AIPWR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: TSSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.71 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 0.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V
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TLC2264IDR

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Ko...
TLC2264IDR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.73 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.85mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 0.73 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.85mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2264IN

Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: O...
TLC2264IN
Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-14
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Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-14
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TLC2272CD

TLC2272CD

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl ...
TLC2272CD
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C. Hinweis: Udd 4...16V
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Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C. Hinweis: Udd 4...16V
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TLC2272CDR

TLC2272CDR

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
TLC2272CDR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2272CP

TLC2272CP

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterpl...
TLC2272CP
Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C. VCC: 4...16V. Spec info: Low-Power, High-Gain Bandwidth 2.2MHz Typ
TLC2272CP
Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C. VCC: 4...16V. Spec info: Low-Power, High-Gain Bandwidth 2.2MHz Typ
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TLC2272ID

TLC2272ID

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl ...
TLC2272ID
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Hinweis: Udd 4...16V
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Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Hinweis: Udd 4...16V
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TLC2272IDR

TLC2272IDR

Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: O...
TLC2272IDR
Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8, -40+125°C
TLC2272IDR
Technologie: LINCMOS. Geringe Leistung: ja. Ausgangstyp: Rail-to-Rail-Ausgang. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8, -40+125°C
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TLC2272IP

TLC2272IP

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfigura...
TLC2272IP
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC2272IP
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.2mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2274ACN

TLC2274ACN

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfigur...
TLC2274ACN
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC2274ACN
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2274AID

TLC2274AID

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl ...
TLC2274AID
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Hinweis: Udd 4...16V
TLC2274AID
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Hinweis: Udd 4...16V
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TLC2274AIDR

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Ko...
TLC2274AIDR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC2274AIDR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 2.18 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +4.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2274ID

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl ...
TLC2274ID
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Hinweis: Udd 4...16V
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Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Hinweis: Udd 4...16V
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TLC2652CP

TLC2652CP

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfig...
TLC2652CP
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC2652CP
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +3.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC2654CP

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfig...
TLC2654CP
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.034mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC2654CP
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.9 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.034mV. Stromaufnahme [mA]: 1.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC271ACP

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl ...
TLC271ACP
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Udd 3..16V
TLC271ACP
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Udd 3..16V
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TLC271CD

TLC271CD

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl ...
TLC271CD
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Udd 3..16V
TLC271CD
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Udd 3..16V
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TLC271CDG4

TLC271CDG4

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
TLC271CDG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC271CDG4
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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TLC271CN

TLC271CN

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Kennzei...
TLC271CN
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TS271CN. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Udd 3..16V
TLC271CN
Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TS271CN. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Udd 3..16V
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Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us...
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Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Udd 3..16V
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Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Udd 3..16V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Kon...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, speziell. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
TLC271IDR
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.09..1.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.03..3.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, speziell. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +16V
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