Operationsverstärker

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.8mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.25mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 13mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: OP-IC. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Gehäuse: SO8. Anzahl der operativen Verstärker: 2. Bandbreite MHz: 3MHz. Versorgungsspannung min: 7V. Versorgungsspannung max: 36V. Rail-to-Rail-Ausgang: ja. Temperatur Min: 0°C. Temperatur max: 70°C. Serie: TL

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Technologie: JFET. Rauscharmer Verstärker: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: n/a. Temperatur max: 70°C. Serie: TL. Gehäuse: DIP8. Bandbreite MHz: 4MHz. Versorgungsspannung min: 6V. Versorgungsspannung max: 36V

Verschiedenes: JFET OP-AMP. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 5.6mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Gehäuse: SO14. Anzahl der operativen Verstärker: 4. Bandbreite MHz: 4MHz. Versorgungsspannung min: 6V. Versorgungsspannung max: 36V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: 0°C. Temperatur max: 70°C. Serie: TL

RoHS: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 3MHz Unity-gain bandwidth. Hinweis: THD--0.003%. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 36V. Versorgungsspannung: ±18V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 3MHz Unity-gain bandwidth. Hinweis: THD--0.003%. Hinweis: High Slew Rate--13 V/us Typ. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 36V. Versorgungsspannung: ±18V

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: SINGLE GENERAL PURPOSE BIFET OP AMPS. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Technologie: JFET. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Gehäuse: DIP8. Anzahl der operativen Verstärker: 1. Bandbreite MHz: 4MHz. Versorgungsspannung min: 5V. Versorgungsspannung max: 36V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: 0°C. Temperatur max: 70°C. Information: 1. Serie: TL. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 1.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Konditionierungseinheit: 100dB. Funktion: Dual-JFET-Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 13V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 2.8mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C