Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 7. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 45 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 150V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.05mV. Stromaufnahme [mA]: 5.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit Fotodiode. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.12mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 6.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 6.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Gehäuse: SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 2.5mA. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Gehäuse (JEDEC-Standard): 3 MHz Bandbreite

Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.0145MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.003V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.00071mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.52V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.046mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.52V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.09mA. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.52V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.18mA. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +2.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3.9MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Stromaufnahme [mA]: 0.38mA

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.75mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Ausgangsstrom 600mA. Hinweis: Vcc 15V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Ausgangsstrom 600mA. Hinweis: Vcc 9V

Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Hinweis: Operationsverstärker

Funktion: Operationsverstärker. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -25...+85°C. Anzahl der Terminals: 6

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 290 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 310V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 19mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: VSSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 145 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 480V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 1.14mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Differenzeingang/-ausgang. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PowerSO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 325 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1000V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 14mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Audioanwendungen. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C