Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.52V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.18mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SC-70/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 3.9MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 0.38mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.75mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Ausgangsstrom 600mA. Hinweis: Vcc 15V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Ausgangsstrom 600mA. Hinweis: Vcc 9V

Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 6. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-6. Betriebstemperatur: -25...+85°C

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 290 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 310V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 19mA. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: VSSOP8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Differenzeingang/-ausgang. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 145 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 480V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 1.14mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PowerSO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Audioanwendungen. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 325 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1000V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 14mA. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, für den allgemeinen Gebrauch. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Gehäuse: SO-8

Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 20mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 3.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 15mV. Stromaufnahme [mA]: 0.4mA. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Technologie: JFET. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-8

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Gehäuse: SO8. Bandbreite MHz: 1MHz. Versorgungsspannung min: 6V. Versorgungsspannung max: 36V. Rail-to-Rail-Ausgang: NO. Temperatur Min: -40°C. Temperatur max: 105°C. Serie: TL

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C