Operationsverstärker

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+85°C. Hinweis: Sehr geringes Rauschen, max, 8 nV/Hz bei 10 kHz

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 8mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Hinweis: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,00008 %

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Geringe Verzerrung 0,00008 %

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: überragende Klangqualität. Hinweis: Extrem niedrige Verzerrung 0,00008 % bei 1 kHz

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 8mA. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker für Audioanwendungen. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 8mA. Schaltungstyp: Dual-Operationsverstärker für Audioanwendungen. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 10 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.005mV. Stromaufnahme [mA]: 2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Wide Bband--8MHz, 2.3V/uS. Hinweis: Versorgungsspannungsbereich +/-2,5V...+/-18V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Wide Bband--8MHz, 2.3V/uS. Hinweis: Versorgungsspannungsbereich +/-2,5V...+/-18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Gehäuse (JEDEC-Standard): 8:1. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 33 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 11V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 70.005mV. Stromaufnahme [mA]: 7.2mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Wide Bband--33MHz, 10V/uS. Hinweis: Versorgungsspannungsbereich +/-2,5V...+/-18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.05mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: ±2.5...±18V. Versorgungsspannung: ±18V. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Konditionierungseinheit: 75. Spec info: Gain-Bandwidth Product--1MHz 0.8V/us

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: Versorgungsspannungsbereich +/-2,5V...+/-18V. Spec info: Wide Bband--8MHz, 2.3V/uS

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Wide Bband--8MHz, 2.3V/uS. Hinweis: Versorgungsspannungsbereich +/-2,5V...+/-18V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.7mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit doppelter Präzision. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 50 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 25V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.2mV. Stromaufnahme [mA]: 4.6mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker, Rail-to-Rail. Mindestversorgungsspannung (V): +2.2V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: 0.0003% @ 1kHz. Hinweis: Geringe Verzerrung

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 20 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 25V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 10mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +48V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 700 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 335V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 15.5mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +6V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 670 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1700V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4.3mV. Stromaufnahme [mA]: 11.6mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12.6V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 670 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1700V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4.3mV. Stromaufnahme [mA]: 11.6mA. Schaltungstyp: Dualer schneller Operationsverstärker. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Mindestversorgungsspannung (V): +7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +12.6V

Technologie: Präzisionsverstärker. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.05mV. Stromaufnahme [mA]: 0.9mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V