Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.9V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 3.3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Gain-Band--1MHz, Slew Rate--0.8V/us. Hinweis: THD + Noise--0.006%. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 38 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 22V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 8.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 250 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 150V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 8mV. Stromaufnahme [mA]: 4.9mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 63 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 11.9V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 3.3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +44V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 20V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Extrem niedrige Verzerrung 0,00008 % bei 1 kHz. Hinweis: überragende Klangqualität. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 8 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 2.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 70.005mV. Stromaufnahme [mA]: 14.8mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Ultra-low offset voltage 10uV. Hinweis: Extrem niedrige Temperaturdrift +/-0,1 uV/°C. Anzahl der Terminals: 14. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Präzisions-Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.8V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.01mV. Stromaufnahme [mA]: 3.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Hochspannung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +20V. Maximale Versorgungsspannung (V): +90V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220/11. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 11. Schaltungstyp: Stromverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.6 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 60mV. Stromaufnahme [mA]: 25mA. Mindestversorgungsspannung (V): +20V. Maximale Versorgungsspannung (V): +70V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): FET-Eingang

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220/7. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 7. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Hochspannung/-strom. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 17mA. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +60V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Maximaler Dauerstrom: 200mA. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 3 MHz Bandbreite. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: 4...30V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, niedriger Eingangsstrom. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 6.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 35V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 20 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 25V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 5.3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +48V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): DIP-8

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 16 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 250mV. Stromaufnahme [mA]: 7.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 80 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 135V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.1mV. Stromaufnahme [mA]: 7.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: setting time 550ns. Hinweis: input offset voltage 130uV...280uV. Betriebstemperatur: -25...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 190 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1200V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4.5mV. Stromaufnahme [mA]: 6.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: input offset voltage 75V. Hinweis: Input voltage noise 0.1Hz to 10Hz 250nV. Hinweis: Breitband 22 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: OPA827AI. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCC: ±4...±18V. Versorgungsspannung: 40V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: THD plus Noise--0.000028 %. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: OPA828ID. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Bandbreite: 45 MHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCC: ±4...±18V. Versorgungsspannung: 36V