Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Hochspannung. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 15V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1.5mV. Stromaufnahme [mA]: 4.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +20V. Maximale Versorgungsspannung (V): +90V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Maximaler Dauerstrom: 10A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: FET-Eingang. Anzahl der Terminals: 11. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -25...+85°C. VCC: ±40V. Versorgungsspannung: ±40V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220/7. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 7. Schaltungstyp: Operationsverstärker, Hochspannung/-strom. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 10V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 17mA. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +60V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Maximaler Dauerstrom: 200mA. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 3 MHz Bandbreite. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: 4...30V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisions-Operationsverstärker, niedriger Eingangsstrom. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 6.5 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 35V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 20 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 25V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 5.3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +48V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 16 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 55V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 250mV. Stromaufnahme [mA]: 7.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: setting time 550ns. Hinweis: input offset voltage 130uV...280uV. Betriebstemperatur: -25...+85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: setting time 550ns. Hinweis: input offset voltage 130uV...280uV. Betriebstemperatur: -25...+85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 190 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1200V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 4.5mV. Stromaufnahme [mA]: 6.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +10V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: input offset voltage 75V. Hinweis: Input voltage noise 0.1Hz to 10Hz 250nV. Hinweis: Breitband 22 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: OPA827AI. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCC: ±4...±18V. Versorgungsspannung: 40V

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: THD plus Noise--0.000028 %. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: OPA828ID. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Bandbreite: 45 MHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCC: ±4...±18V. Versorgungsspannung: 36V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 7. Schaltungstyp: schneller Operationsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 45 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 150V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.05mV. Stromaufnahme [mA]: 5.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit Fotodiode. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 0.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.12mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.7V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 6.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Operationsverstärker für Instrumentierung. Anzahl der Kreise: 1. Eingangs-Offsetspannung max (V): 1mV. Stromaufnahme [mA]: 6.5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 3 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 1.7V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7.5mV. Stromaufnahme [mA]: 5mA. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +30V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Anwendungen: Allzweck. Gehäuse: SO-8

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: 158 series. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: 3 MHz Bandbreite. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C. Versorgungsspannung: ±22V

Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 0.0145MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.003V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 2.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.00071mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/5. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 1. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.52V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.046mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Dual-Präzisions-Operationsverstärker, rauscharm. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.52V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3.5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.09mA. Mindestversorgungsspannung (V): +2.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C