Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Operationsverstärker mit interner Spannungsreferenz. Anzahl der Kreise: 1. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5mV. Stromaufnahme [mA]: 0.28mA. Mindestversorgungsspannung (V): +1.1V. Maximale Versorgungsspannung (V): +40V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP-IC. Hinweis: Serie--124. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14

Funktion: Operationsverstärker. Äquivalente: LM13700MX/NOPB. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Funktion: Transkonduktanzverstärker. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: SO-16

Funktion: Quad-Operationsverstärker. Hinweis: Serie--124. Hinweis: Hi-temp.. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Spec info: Wide gain bandwidth 1.3MHz. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14. Betriebstemperatur: -25...+85°C

Anzahl der operativen Verstärker: 4. Anwendungen: Industrie. Gehäuse: SO-14

Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 3mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Serie: Serie--124. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Betriebstemperatur: -25...+85°C. Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: Hi-temp.. Anzahl der Terminals: 14

Anzahl der operativen Verstärker: 4. Anwendungen: Industrie. Gehäuse: TSSOP-14

Funktion: Operationsverstärker. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: LM148. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP14. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 6mV. Stromaufnahme [mA]: 2.4mA. Mindestversorgungsspannung (V): +8V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): ja

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Geringe Leistung: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Betriebstemperatur: -25°C...+85°C. Gehäuse: VSSOP-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 3mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

Funktion: Dualer Operationsverstärker. Hinweis: Dualer Operationsverstärker mit geringer Leistung. Äquivalente: LM258DT, LM258DG, LM258DR, LM258DR2G. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C. Serie: LM

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Anzahl der operativen Verstärker: 2. Geringe Leistung: ja. Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C. Gehäuse: SO-8

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.6V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 7mV. Stromaufnahme [mA]: 1.2mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 9mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Funktion: Dualer Operationsverstärker. Äquivalente: LM258N, LM258NG. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+105°C

Hinweis: 36V 20mA. Hinweis: OP-IC. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14

Anzahl der operativen Verstärker: 4. Anwendungen: Allzweck. Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14. Komponentenfamilie: Operationsverstärker

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO14. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 14. Schaltungstyp: Vierfach-Operationsverstärker, universell einsetzbar. Anzahl der Kreise: 4. Bandbreite [MHz]: 1.2 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.5V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1.6mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

Anzahl der operativen Verstärker: 4. Anwendungen: Allzweck. Äquivalente: LM324. Gehäuse: SO-14

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Doppelter Operationsverstärker für allgemeine Zwecke. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 0.7 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.3V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 10mV. Stromaufnahme [mA]: 1mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +26V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +105°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Operationsverstärker. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Präzisionsbetriebsverstärker. Anzahl der Kreise: 2. Bandbreite [MHz]: 1.1 MHz. Anstiegsgeschwindigkeit [V/us]: 0.35V/us. Eingangs-Offsetspannung max (V): 5.8mV. Stromaufnahme [mA]: 0.44mA. Mindestversorgungsspannung (V): +3V. Maximale Versorgungsspannung (V): +32V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C