CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant ZF-Diode (Spitze): 1 A (PW=100us, 120pps). Diodenleistung: 90mW. Diodenschwellenspannung: 1.05V. Kollektorstrom: 150mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D207. Ausgang: Transistorausgang. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 4.7us. Gehäuse: SMD. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP SMD-8. Tr: 3.2us. Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Funktion: Fototransistor-Ausgang, zweikanalig