P-Kanal-Transistor, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V - 2SJ512

P-Kanal-Transistor, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V - 2SJ512. P-Kanal-Transistor, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 205 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance“. Id(imp): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 01:25.