P-Kanal-Transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P

P-Kanal-Transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P. P-Kanal-Transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. ID (T=25°C): 0.46A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 25V. RoHS: ja. C(in): 63pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Eingangsaufladung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 304. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.22 Ohms. Spec info: Betriebs-Gate-Spannung nur 2,5 V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Originalprodukt vom Hersteller On Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 19/07/2025, 23:25.