P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF4905SPBF

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF4905SPBF. P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F4905S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.