Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 2.97€ | 3.56€ |
5 - 9 | 2.82€ | 3.38€ |
10 - 24 | 2.73€ | 3.28€ |
25 - 49 | 2.10€ | 2.52€ |
50 - 99 | 2.05€ | 2.46€ |
100 - 249 | 1.98€ | 2.38€ |
250 - 750 | 1.91€ | 2.29€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 2.97€ | 3.56€ |
5 - 9 | 2.82€ | 3.38€ |
10 - 24 | 2.73€ | 3.28€ |
25 - 49 | 2.10€ | 2.52€ |
50 - 99 | 2.05€ | 2.46€ |
100 - 249 | 1.98€ | 2.38€ |
250 - 750 | 1.91€ | 2.29€ |
P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A - IRF5305STRLPBF. P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F5305S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.
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