P-Kanal-Transistor, SO8 - IRF7342TRPBF

P-Kanal-Transistor, SO8 - IRF7342TRPBF. P-Kanal-Transistor, SO8. Gehäuse: SO8. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Serie: HEXFET. Polarität: MOSFET P. Vdss (Drain-Source-Spannung): -55V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 3.4A. Rds on (max) @ id, vgs: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Vgs (th) (max) @ id: 8:1. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): F7342. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Betriebstemperatur: 0.105 Ohms @ -3.4A. Montageart: SMD. Eigenschaften: 64 ns. Information: 690pF. MSL: 1. Originalprodukt vom Hersteller Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 21/07/2025, 08:25.