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P-Kanal-Transistor, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9630

P-Kanal-Transistor, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9630
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P-Kanal-Transistor, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9630. P-Kanal-Transistor, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 700pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 14:25.

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