P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -12V, -3A - SI2315BDS-T1-E3

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -12V, -3A - SI2315BDS-T1-E3. P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -12V, -3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: M5. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -0.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 715pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.